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为什么CPU要提高密度,而不是增大面积?

2020-09-22 12:36阅读(65)

为什么CPU要提高密度,而不是增大面积?:随着技术的提升,CPU肯定要不断的提升密度,而面积是否增大则要看情况而定。CPU从诞生起就伴随着密度的不断攀升1971年:-

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随着技术的提升,CPU肯定要不断的提升密度,而面积是否增大则要看情况而定。

CPU从诞生起就伴随着密度的不断攀升

1971年诞生的4004是英特尔的第一款商用计算机处理器,它采用的10微米技术和现在的14纳米相差甚远,2250个晶体管的规模和现在动辄数十亿晶体管的CPU更是没法相比,但是无论哪个时代的主流CPU之间的面积都不会相差很多,无非是这一代大一点,下一代小一点,然后再下代还可能还大一点,但是无论怎么变,CPU的密度肯定是不断增加的,也就是说单位面积内的晶体管越来越多,因为只有这样才能不断在单位面积内增强CPU的性能,并使CPU不断增强的同时功耗越来越低。

增加密度和面积会为CPU带来什么

45nm—32nm—22nm—14nm,CPU生产工艺的不断进步可能很多人看来是顺其自然,但是这里面每一次进步都面临着巨大的问题和压力,投入的资金也是呈几何倍数增加,投资的增加就相当于成本的增加。拿现在的晶圆厂普遍使用的300毫米晶圆来说,面积越小的CPU芯片一个晶圆所能切割的成品芯片数量就越多,打个比方,进入成熟量产期的一片晶圆价值6000美元,片上一共能切割出200颗成品芯片,这样简单计算的话一颗芯片成本就在200元人民币左右,不过我们还没计算良品率,因为每一片晶圆都会有或多或少的不均匀瑕疵,如果这些瑕疵落在了芯片上,那这些芯片就不能用了,或者被降级出产,这些都是要付出的成本。

芯片越小,成品数量越多,晶圆边上的边角料也会浪费的越少

所以说,晶圆大小基本是固定的,而如果你的CPU设计的太大,一片晶圆总共才能产出20颗,还碰巧遇到不少瑕疵,报废了10颗,那你的良品率才有50%,这样生产出来的CPU一是保证不了产量,二是价格很高,很少人负担得起;而如果芯片设计的较小,产出200颗,哪怕有瑕疵的占30%,还有140颗可用,市场风险和压力明显小多了。

CPU面积和性能之间的选择

CPU当然也可以选择增大面积,提升性能,就像英特尔面向企业级市场推出的至强系列CPU都相比酷睿系列拥有更大的核心面积,AMD今年推出的锐龙也是选择了增大核心数的方式提升多核性能,成效显著,还有AMD的线程撕裂者很有意思,直接拿四个锐龙芯片封装到一个PCB上,总体面积虽说增大,但是不影响本身芯片良率,还能显著增加核心数量和多核性能,价格还不会高的离谱,可谓一举两得。

AMD线程撕裂者,最多可达16核心

以上不管是至强还是锐龙,大都是选择增加核心数量,增强多核性能的路线走来的,这也会带来成本增加,频率降低,功耗增大,没有核芯显卡等代价,所以说不断提升工艺和CPU架构的效能还是重中之重,同样是4核心的7700K比当年的4核Q6600性能和效率不知道强了多少倍,在加入了核芯显卡等更多功能模块的情况下比Q6600小的多,而同为14nm工艺的8700K为了增强性能,多加的两个核心又使得面积比7700K明显大一截,如果下一代9700K使用10nm工艺的话,那么在核心数量不变,频率增加的情况下面积又会缩小,就是这样的一个规律。

至于手机CPU,对功耗和面积极为敏感,牵一发而动全身,属于理论上可以做大,但是绝对不能做大的范畴,所以留给手机CPU厂商的就是不断追求工艺进步和单位面积效率增强,这也是近几年的最先进工艺总是先用来生产手机CPU的一大原因。

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首先呢,厂商是绝对会增加CPU的面积,以Intel现在的处理器为例,四核的Core i3系列核心面积为126mm2,六核的Core i5/i7核心面积为149.6mm2,而高端旗舰X299平台的10核以下(Core i9-7900X以下)产品核心面积为322mm2,18核以下(Core i9-7920X到Core i9-7980X)的产品核心大小为484mm2,服务器用自强白金28核处理器核心面积高达646mm2,大家可以来感受下:

Core i7-8700K的核心

Core i9-7900X的核心

Core i9-7920X的核心

增大核心面积可以简单粗暴的增加CPU的核心数量并加入更多的功能和指令集,然而这也提升了产品成本,应为晶圆的尺寸是固定的,切割出来的芯片越小成本就越低,而且在单位面积出错率固定的情况下,面积越大的芯片蚀刻时上面有坏点变成不良片的可能性就越大,实际上大型芯片的不良率远比小芯片高,所以厂商们都想放设法在尽可能小的芯片里堆更多的东西,那只能升级工艺了。

更先进半导体工艺的优势其一:降低生产成本

基本上所有芯片的生产都要经过7个工序,分别是:硅提纯,切割晶圆,影印,蚀刻,重复、分层,封装,测试,当中蚀刻工序最重要的工作,它是用激光在硅晶圆上面雕刻晶体管的过程,这个过程是由激光来完成的,所用激光的波长就是该技术提升的关键,它影响着在硅晶圆上蚀刻的最小尺寸,也就是线宽。

Intel不同制程工艺的成本、核心面积

我们常说的多少nm都是指线宽,也就是芯片上的门电路宽度,缩小线宽意味着晶体管可以做得更小、更密集,而且在相同的芯片复杂程度下可使用更小的晶圆,于是成本降低了。

更先进半导体工艺的优势其二:频率更高,电压更低

在缩短芯片内元件间距之后,晶体管间的电容也随之降低,这可以提升晶体管的开关频率,这时整个芯片的工作频率就上去了,这也为什么每升级一次工艺CPU的频率都会明显提升的原因。

另外缩小晶体管的尺寸也会减少它们的内阻,这可以降低它们的导通电压,这代表CPU可以在更低的电压下工作,所以使用新制程的CPU的电压较上一代产品都有所降低,另外CPU的功耗是与工作电压的平方成正比的,工作电压的降低,可使它们的功率也大幅度减小。


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增加面积会大幅增加成本,晶元越大生产难度越高成本越大,这也是为什么高端芯片贵的原因,普通芯片一片晶元假设能切割1000块,大芯片就只能切割100块,然后芯片面积越大浪费的晶圆就越大,因为晶圆是圆柱型的,芯片是长方体,同时芯片越大越容易出问题,报废率就越高,所以人们总是想办法减小芯片而不是增大芯片,一切都是利益的因素,商人都不会做赔本的买卖,虽然更新生产工艺会花费上百亿美元,但是新工艺的价值会达到数百亿美元,如果工艺不行强行增加芯片面积往往是得不偿失的,你是否愿意购买性能两倍价格十倍的芯片?想信大多数人都不会选择

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这个问题具体回答会很复杂,但是我们简单来说其实无非是成本、功耗和时序。

成本很好理解,一块晶元面积和成本是固定的。如果CPU的面积扩大一倍,相同面积的晶元只能切出原来一半数量的CPU,那么CPU成本几乎要翻倍了。

而功耗是另一方面。CPU本质其实是大量的MOSFET或FINFET元件组成的。这些元件可以看成是电压控制的开关,本质上其实是电容。如果你的高中物理知识还没忘,CPU的功耗大概是P=CV^2F。这里的C就是电容,V是供电电压,F是频率。所以CPU面积增大会导致电容增加,功耗直线上升。

而时许的问题就比较复杂了。我们可以简单理解为CPU内部不同的元件时间要相互工作,他们本来应该都受到统一时钟控制的,就像听音乐走正步的士兵一样。而电信号在导线上传导是需要时间的,不同长度的导线使时钟信号到达不同距离的元器件的时间也不一样。就像一个喊口号的人在方阵中,方阵太大了就会导致远处的人听到的指令滞后,方阵就不整齐了。CPU面积加大就会导致时钟或者时许紊乱。中间涉及到大量竞争冒险的问题,我不做展开。

综上所述CPU面积增大带来的问题很严重,如果再考虑设备小型化的趋势、散热控制等问题,面积控制就更关键了。

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关于这个问题,是不是有一些爱好者对CPU生产有些误会?


CPU首先是半导体,集成电路,手机常说的几纳米制程技术,就是说越是精密的加工技术,光刻机就可以在硅片上刻出的沟槽越细小,就能在单位面积上提高运算能力和集成能力,也就是我们所说的提高密度。


但是不是提高集成密度就能完全解决现在CPU对性能提升的要求呢?显然也不是,就用现在的主流计算机CPU举例吧,其实厂商为了提高性能,都会在面积上做出一定的妥协,比如酷睿和AMD芯片在同级性能的请款下,往往AMD就要在面积上做出一定的让步,他们的CPU面积往往比酷睿的更大,这也侧面反映出了AMD芯片的集成技术不如酷睿。


但当要增大的CPU面积的时候,必须要考虑到包括散热、能耗、生产成本、良品率、芯片质量等问题,可以说是一个综合考量的结果。当然这也挡不住芯片面积周期性往复的过程,永远都是新一代芯片出来,因为有更高性能的要求,所以在原技术的基础上扩大面积,然后第二年因为集成技术的提高,在相同性能的前提下又可以把面积缩小。这都是十分正常的事。


对于芯片生产这件事本身而言,肯定是永远都要追求尽可能大的加工密度,但只要在合理的范围内,面积的增加既符合需要也符合商业规则。

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看了这么多答案也是醉了,这个和成本没有半毛钱关系,主要是控制功耗和发热量。为啥intel第一代胶水双核发热惊人,就是应为没有任何制程上进步,直接把两个CPU放在一起了,也就是面积直接翻倍,然后散热就炸了。再说了cpu晶元的原材料是啥,是沙子好嘛,怎么可能贵,cpu贵在设计和研发环节,流一次片就大几百万,发现错误直接从来,设计成型的cpu批量生产成本是很小的

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因为半导体发展起来的时候存储器厂家放言,容量大小再不会与体积相关了。处理器厂家也紧接着放言,性能大小与体积也无关了。

当时世界普遍还在用打字机和录像带。

硬盘从g做到t,cpu从mhz变为ghz。微观的就是体积不变,密度就更低。早先没人觉得人类可以把芯片做到10纳米,也没人觉得硬盘可以做到1024t。

慢慢来嘛,更没人觉得会有电脑用的上那种性能。而如果必要的需要那种性能,其实还是靠体积。比如巨型机。

而市面上的电脑,由于多年前夸下的海口,和多年的产品习惯。使人们觉得,如果做大,就是往回发展了。又到了体积限制性能的时代了。这绝不允许发生。再者也不是没有解决的方案。

性能到瓶颈时,人们往往想到的就是多个。一台打字机不够快就两台。但这种思维只能助我们再做一台现代版的ENIAC。

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为什么要小,首先从物理散热这方面说,体积越小形状越薄的物体散热越快,从这方面就不能理解为何我们见到的处理器都是薄薄的一片。

重点是能耗,随着移动设备的大范围普及,移动处理器的需求剧增,移动设备有一个硬指标就是能耗,简单点说就是充满电能用多久。一种办法是增大储能量装大容量电池,还有一个方法就是降低功耗。举个例子,14纳米技术和10纳米技术不懂的人看上去相差并不大,但对应处理器中的无数个微小的晶体管的总能耗,差距就太大了,两种技术的CPU每个晶体管的能耗相差并不是10/14,因为晶体管是一个立体,所以能耗是10/14的三次方,约等于36.44%,也就是说相同主频相同晶体管数量的10纳米处理器能耗理论上只有14纳米处理器能耗的36.44%,所以就不难理解为什么处理器的密度会越来越高。

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尺寸越小分布电容和电阻越小,延迟时间越小(速度越快)、器件的负载越小(功耗越小);器件的尺寸就越小,噪声就越低,所需的电源电压越低,有进一步降低功耗,这是越小越好的首要原因。还有一个原因就是影响IC质量和成品率的最大敌人是材料缺陷和工艺过程的污染,越大的尺寸缺陷影响越大,越高的密度污染影响越大是很容易理解的。半导体工业的集成度是随着材料纯度越来越高,工艺过程避免污染的措施越来越完善铺就的道路发展的,适度的尺寸和密度仍然是控制成本主要手段。再说一句,有些集成电路就是尺寸越大越好,例如,图像传感器的尺寸越大、灵敏度就越高,据说“哈勃”上用的CCD像感器件的尺寸就接近60x60毫米。功率器件也是越大越薄的散热约好。

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因为半导体是按wafer层级跑流水线制程的,一片wafer 300mm直径,面积固定,一片wafer的工艺只要光罩数量相等,制造成本相差不大。所以在一片wafer上尽可能多的塞下更多的die,当然就可以降低成本,另一个,die越小,良品率越高。所以芯片设计上,缩小晶体管面积,提高晶体管密度才能降低成本。这就是原因