英特尔继续推进摩尔定律 芯片背面供电 突破了互连瓶颈

12月9日，英特尔在2023年IEEE国际电子器件会议上展示了使用背面电源触点将晶体管缩小到一纳米及以上范围的技术，英特尔表示将继续推进摩尔定律，预计会在2030年之前实现单个封装集成10000亿个晶体管，包括背面供电技术，用于先进封装的玻璃基板等技术都将在2030年之前投产。

英特尔方面表示，遵循摩尔定律的半导体技术在不断的推进，半导体的集成化程度也变得越来越高，目前，衡量芯片微观集成密度的单位也从原先的纳米转变成埃米，英特尔公司高级副总裁桑杰纳塔拉詹表示，我们正在进入制程技术的埃米时代，这个时候持续创新，比以往任何时候都更加重要，英特尔展示了继续推进摩尔定律的研究进度，也显示了我们有能力向下一代移动计算发展的需求，开发实现晶体管微缩和高效能供电的前沿技术。

根据国际数据公司的预计，全球人工智能硬件市场的规模，有望从2022年的195亿美元上涨到2026年的347亿美元，这五年的复合增长率将达到17.3%，其中，运用于生成式人工智能的服务器市场规模，在整体人工智能服务器市场的占比中惠增加至2026年的31.7%，根据英特尔方面的透露，摩的尔定律推动更晶体管的集成，这也推动了更多层次和更小的导线应用，增加了非常多的成本。

每一层次都必须拥有更多的信号和电源导线，这也会导致出现各种资源的争夺，从而形成一个互联式的瓶颈，让整个事情变得越来越具有挑战性，背面电源从根本上是改变这种情况的发生，通过在元器件的两侧以及垂直互联中使用电源过孔，我们明年就可以在一些项目中部署这项技术，这也意味着使用这项技术可以在前面减少导线，不用再进行各种布局的优化妥协。